大家都知道晶振产品主要分为二大类,一类是无源晶振(包括KHz系列和MHz系列),属于无极性元件,虽然部分贴片晶振有4个脚,但我们通过脚位说明,可以看出其实也是只有两个脚起作用,无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号,自身无法振荡起来,这一类晶振的主要结构由上盖、晶片、电极、基座、焊盘来组成;而有源晶振是属于有极性元件(频率范围从KHz~GHz都有),大部分是4个引脚,部分可达6个引脚及至8脚、至10个引脚都有,其脚位都有严格说明,禁止反向安装,有源晶振不需要CPU的内部振荡器,信号稳定,质量较好,而且连接方式比较简单,其结构组成相对无源晶振产品,由上盖、晶振、电极、IC、基座、焊盘等组成,部分特殊产品,如恒温晶体振荡器OCXO,内部会多个恒温槽;而温补晶振TCXO内部是由热敏电阻和阻容元件组成的温度补偿电路或者其它元件来实现直接温度补偿或间接式,在此篇文章,我们只讲述普通有源晶振产品。
SMD 3225有源晶振产品说明,如常见规格书为例,如我司晶科鑫SJK品牌的3N系列SMD 3225贴片有源晶振为例:
型号(Item /Type):3N系列SMD 3225贴片有源晶振
输出类型(Output Type):CMOS
输出负载(Output Load):15pF,或定制
振荡模式(Overtone):基频
工作电压(Supply Voltage):1.8V /2.5V /3.3V
输出频率范围(Frequency Range):32.768kHz~220MHz
频率容差(含常温频差)(Frequency Stability /Frequency Tolerance):±25ppm,或其他工作温度(Operating Temperature):-40~+85℃
输出高电压Vol最大/输出低电压Voh最小(Output Voltage Vol / Voh):0.1Vdd /0.9Vdd
波形对称(Symmetry):45~55%
消耗电流(Supply Current):15mA最大
上升/下降时间(Rise /Fall Time):3ms 最大
启动时间(Start-up Time):3ms 最大
存储温度(Storage Temperature):-55~+125℃
相位抖动(Phase Jitter):1pS (12KHz~20MHz)
老化率(Aging @25℃):±3ppm/年最大
产品尺寸(Dimensions):3.2×2.5×1.0 mm
包装单位(Packing Unit):3000pcs/Reel
规格解析:
型号:代表我司产品的料号,3N就是代表SMD 3225贴片有源晶振系列
输出类型:普通有源晶振是CMOS/LVCMOS/HCMOS输出,另外还有差分输出的如LVDS、LVPECL、HCSL、TTL、CML等,目前TTL这个输出模式基本已经淘汰了,大部用使用CMOS来替代。
输出负载:CMOS输出的负载,比较常见的有15pF,其它常见10pF、30pF、50pF等,这个是可以根据客户要求来定制的。
振荡模式:有基频(Fundamental)、3倍频(3rd Overtone)、5倍频(5th Overtone)、7倍频(7th Overtone)不常见、PLL(锁相环)等。
工作电压:振荡器工作所需的输入功率。电源电压通过VDD引脚为振荡器供电,有时被称为VDD。单端振荡器的标准电压包括1.8、2.5和3.3V,目前部分晶振工厂的工作电压可做到1.2V,目前该工作电压的晶振工厂极少,大部分为台系、日系晶振工厂把控。
输出频率范围:这个比较好理解,就是该产品支持的频率范围,如32.768kHz、16MHz、50MHz、100MHz、150MHz等频率。
频率容差:在特定条件下工作时,振荡器频率与指定标称值的最大允许偏差,频率容差包括常温频差和温度频差,如±25ppm,代表常温频差(@25℃)的频率公差为±10ppm,加上工作温度频差±15ppm,两者相加之值,而不是只代表温度频差或常温频差。
工作温度:保证晶体器件规格(参数值)的温度范围,商业级温度-10~+60℃,-20~+70℃,工业级温度-40~+85℃,汽车级温度-40~+105℃,-40~+125℃等。
输出高电压Vol最大/输出低电压Voh最小:0.1Vcc/0.9Vcc
波形对称(占空比):输出电压高于指定电平的时间与输出电压低于指定电平的时间之间的比率,以整个信号周期持续时间的百分比表示,主要有45~55%,-40~60%这两种较多。
消耗电流:电源电流是一个振荡器的最大工作电流。它是在最大的、有时是标称的电源电压下以微安(µA)或毫安(mA)为单位测量的。典型的电源电流是在没有负载的情况下测量的。
上升/下降时间:上升/下降时间是输出信号的上升沿和下降沿的持续时间,通常在输出信号水平的20%至80%或10%至90%之间测量,对于CMOS负载,时间是在1/2 VCC电平下测量的,对于TTL负载,它是在1.4 V电平下测量的。
启动时间:启动时间是指从电源电压(VDD)加到振荡器(90%)到第一个输出时钟周期开始的时间段。
存储温度:这是保持储存(未操作)的晶体器件的可操作性和特性的温度范围。
相位抖动:振荡器输出信号的脉冲波相位从其理想位置在时间上来回移动的现象。当相位在时间上的频率波动超过10Hz时,它被称为抖动。
老化率:老化是指振荡器频率的变化,在一定时间段内以ppm为单位测量,通常以月或年为单位报告。这种频率随时间的变化是由于振荡器内部的变化,而外部环境因素保持不变。
以上就是晶科鑫3N系列SMD 3225有源晶振的规格书上的参数解析,下面带来的是SMD 3225有源晶振的尺寸图和脚位图及测试电路说明。
其中1脚为OE功能端,三态功能的开关,。
2脚GND为接地端
3脚Output为频率输出端
4脚Vcc是工作电压输入端
在电路设计焊接中,为了稳定运行,建议在Vcc和GND之间连接0.01μF至0.1μF的旁路电容,并尽可能靠近Vcc引脚。
SMD 3225贴片有源晶振CMOS输出测试电路
条件
(1) 示波器
带宽应至少比测量频率宽5倍
探头地线应紧贴测试点,引线长度应尽可能短。尽可能的短。
* 建议使用微型插座。(不要使用接地线。)
(2) L_CMOS包括探头电容。
(3) 在靠近器件的VCC和GND引脚之间应连接一个0.01μF至0.1μF的旁路电容。靠近器件的VCC和GND引脚之间应连接一个0.01μF至0.1μF的旁路电容器
(4) 使用具有低内部阻抗的电流表
(5) 电源
电源启动时间(0 %VCC → 90 %VCC)应超过150 μs
电源阻抗应尽可能的低
以上就是本次的SJK晶科鑫3N系列SMD 3225有源贴片晶振的解析,希望能帮助到各位了解到有源晶振的产品知识!